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■商品詳細■ 45W×2ｃｈ(4Ω)、75W×2ch(2Ω)、150W×1ｃｈ(4Ωブリッジ) ・日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称通り、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. （Mosfet Improved True High OutputSwing）のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。 ・全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備。 |
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■商品詳細■ 75W×2ｃｈ(4Ω)、125W×2ch(2Ω)、250W×1ｃｈ(4Ωブリッジ) ・日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称通り、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. （Mosfet Improved True High OutputSwing）のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。 ・全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備。 |
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■商品詳細■ 400W×2ｃｈ(4Ω)、800W×2ch(2Ω) 細身のフィンがきれいに並ぶヒートシンクを、両側からアウターカバーで挟み込んで放熱面積を拡大するとともに、その間に生じる空間をファン排気の通気口として利用する効率のよりマルチエレメントヒートシンクデザインを採用。付加機能としては、AQXM2モジュール方式の12dB/oct.クロスオーバー、低域ブースト機能を全モデルが標準装備する。 回路面では、バランス伝送と同などのノイズ除去効果を発揮する「GR.I.P.S (グラウンド・インプルーブド・パス・システム)」、バーブラウンのオペアンプを投入したプリアンプ部、電源電圧の変動の影響を受けにくく安定した出力が得られる「P.R.H.E.S.S. (プライマリー・レギュレーテッド・ハイエフィシェンシー・サプライ・システム)」などをその技術的特長として掲げている。 |
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■商品詳細■ 200W×2ｃｈ(4Ω)、400W×2ch(2Ω) 細身のフィンがきれいに並ぶヒートシンクを、両側からアウターカバーで挟み込んで放熱面積を拡大するとともに、その間に生じる空間をファン排気の通気口として利用する効率のよりマルチエレメントヒートシンクデザインを採用。付加機能としては、AQXM2モジュール方式の12dB/oct.クロスオーバー、低域ブースト機能を全モデルが標準装備する。 回路面では、バランス伝送と同などのノイズ除去効果を発揮する「GR.I.P.S (グラウンド・インプルーブド・パス・システム)」、バーブラウンのオペアンプを投入したプリアンプ部、電源電圧の変動の影響を受けにくく安定した出力が得られる「P.R.H.E.S.S. (プライマリー・レギュレーテッド・ハイエフィシェンシー・サプライ・システム)」などをその技術的特長として掲げている。 |
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■商品詳細■ 50W×2ｃｈ(4Ω)、100W×2ch(2Ω)、200W×2ｃｈ(1Ω)、375W×2ch(0.5Ω)、700W×2ｃｈ(0.25Ω) 唯一、赤いヒートシンクが与えられたMSKシリーズきっての個性派アンプ。外形、外寸はいうにおよばず、使用パーツもほとんど同じながら、電源PWMのフィードバックの方式が異なるので、出力はわずか50W×2ch(4Ω負荷時)。しかしながら本機は、0.25Ωという超低インピーダンス駆動をも保証しており、そのときの出力は実に700W×2ch (BTLでは0.5Ωで1,400W)にも達する。 |
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■商品詳細■ 120W×2ｃｈ(4Ω)、200W×2ch(2Ω)、400W×1ｃｈ(4Ωブリッジ) 日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称どおり、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. (Mosfet Improved True High OutputSwing)のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備している。 |
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■商品詳細■ 310W×2ｃｈ(4Ω)、600W×2ch(2Ω)、1200W×1ｃｈ(4Ωブリッジ) 日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称どおり、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. (Mosfet Improved True High OutputSwing)のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備している。 |
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■商品詳細■ 45W×4ｃｈ(4Ω)、70W×4ch(2Ω) 日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称どおり、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. (Mosfet Improved True High OutputSwing)のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備している。 |
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■商品詳細■ 75W×4ｃｈ(4Ω)、125W×4ch(2Ω) 日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称どおり、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. (Mosfet Improved True High OutputSwing)のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備している。 |
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■商品詳細■ 105W×4ｃｈ(4Ω)、180W×4ch(2Ω) 日本市場に導入されているのは、2chモデルが3モデル、4chモデルは2モデル。その名称どおり、フルMOS-FET設計を特徴とし、高音質を追求した出力段 M.I.T.H.O.S. (Mosfet Improved True High OutputSwing)のほか、ノイズ軽減回路 GR.I.P.S.、バッテリー電圧の変動による影響を受けにくいP.R.H.E.S.S.電源回路など、最上級モデルのMSKアンプ譲りの技術を継承。全モデルがQXM2モジュールによるQコントロール機能付き12dB/oct.クロスオーバーを標準装備している。 |
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